四探针双电电阻率测试仪

适用范围四端测试法是目前较先进之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。
本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
提供中文或英文两种语言操作选择，满足国内及国外客户需求
电阻测量范围：
电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
电阻：1×10-5～2×105Ω
电导率：5×10-6～1×108ms/cm
分辨率：  最小1μΩ    
测量误差±5%
测量电压量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
测量精度±（0.1%读数）
分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
电流输出：直流电流?0～1000mA?连续可调，由交流电源供电。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
误差：±0.2%读数±2字
主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm
显示方式：液晶显示
电源：220±10% 50HZ/60HZ 
标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
国际标准分类中，四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。

在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A~5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
下列文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法提要
使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。
干扰因素探什材料和形状及其和硅片表面接触是否满足点电流源注人条件会影响测试精度。 
电压表输入阻抗会引入测试误差。 硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果。
光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，
试剂氢氰酸，优级纯，纯水，25 ℃时电阻率大于 2 MN·cm。 
甲醇，99.5%。 干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"～150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35 μm~100μm.100 μm~
250 μm 的半球形或半径为 50 μm~125 μm 的平的圆截面。